半導(dǎo)體檢測實(shí)驗(yàn)室建設(shè)設(shè)計(jì)要求及半導(dǎo)體檢測實(shí)驗(yàn)室注意問題_磊建凈化

　隨著中國“芯”計(jì)劃的確立，國家出臺(tái)各項(xiàng)政策支持國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，第三代半導(dǎo)體的發(fā)展、十大新基建的國產(chǎn)化，引爆了對(duì)芯片的強(qiáng)勁需求，以及展示了芯片強(qiáng)大的實(shí)力和潛力。但半導(dǎo)體和芯片的生產(chǎn)、檢測環(huán)境和設(shè)備要求都極高，下面淺談一下半導(dǎo)體檢測實(shí)驗(yàn)室建設(shè)設(shè)計(jì)要求及半導(dǎo)體檢測實(shí)驗(yàn)室注意問題。

　　一、半導(dǎo)體檢測實(shí)驗(yàn)室建設(shè)設(shè)計(jì)要求

　　1、芯片、半導(dǎo)體生產(chǎn)環(huán)境的要求

　　由于電子產(chǎn)品在制造、生產(chǎn)過程中對(duì)室內(nèi)空氣環(huán)境和品質(zhì)的要求極為嚴(yán)格，主要以控制微粒和浮塵為主要對(duì)象，同時(shí)還對(duì)其環(huán)境的溫濕度、新鮮空氣量、噪聲等作出了嚴(yán)格的規(guī)定。

　　(1)室內(nèi)的噪聲級(jí)(空態(tài))：不應(yīng)大于65dB(A)。

　　(2)垂直流潔凈室滿布比不應(yīng)小于60%，水平單向流潔凈室不應(yīng)小于40%，否則就是局部單向流了。

　　(3)與室外的靜壓差不應(yīng)小于10Pa，不同空氣潔凈度的潔凈區(qū)與非潔凈區(qū)之間的靜壓差不應(yīng)小于5Pa。

　　(4)潔凈室內(nèi)的新鮮空氣量應(yīng)取下列二項(xiàng)中的最大值。

　　(5)補(bǔ)償室內(nèi)排風(fēng)量和保持室內(nèi)正壓值所需的新鮮空氣量之和。

　　(6)保證供給潔凈室內(nèi)每人每小時(shí)的新鮮空氣量不小于40m3。

　　(7)凈化空調(diào)系統(tǒng)加熱器，應(yīng)設(shè)置新風(fēng)，超溫?cái)嚯姳Ｗo(hù)，若采用點(diǎn)加濕時(shí)應(yīng)設(shè)置無水保護(hù)，寒冷地區(qū)，新風(fēng)系統(tǒng)應(yīng)設(shè)置防凍保護(hù)措施，無塵室的送風(fēng)量。

　　2、半導(dǎo)體芯片溫濕度控制

　　半導(dǎo)體潔凈室中相對(duì)濕度的目標(biāo)值大約控制在30%至50%的范圍內(nèi)，允許誤差在±1%的狹窄的范圍內(nèi)，例如光刻區(qū)──或者在遠(yuǎn)紫外線處理區(qū)甚至更小──而在其他地方則可以放松到±5%的范圍內(nèi)。

　　因?yàn)橄鄬?duì)濕度有一系列可能使?jié)崈羰铱傮w表現(xiàn)下降的因素，其中包括：

　　(1)細(xì)菌生長。

　　(2)工作人員感到室溫舒適的范圍。

　　(3)出現(xiàn)靜電荷。

　　(4)金屬腐蝕。

　　(5)水汽冷凝。

　　(6)光刻的退化。

　　(7)吸水性。

　　很多化學(xué)反應(yīng)的速度，包括腐蝕過程，將隨著相對(duì)濕度的增高而加快。所有暴露在潔凈室周圍空氣中的表面都很快地被覆蓋上至少一層單分子層的水。當(dāng)這些表面是由可以與水反應(yīng)的薄金屬涂層組成時(shí)，高濕度可以使反應(yīng)加速。幸運(yùn)的是，一些金屬，例如鋁，可以與水形成一層保護(hù)型的氧化物，并阻止進(jìn)一步的氧化反應(yīng);但另一種情況是，例如氧化銅，是不具有保護(hù)能力的，因此，在高濕度的環(huán)境中，銅制表面更容易受到腐蝕。

　　3、復(fù)雜設(shè)計(jì)施工與高建造費(fèi)用

　　電子芯片潔凈車間有著嚴(yán)格的潔凈度要求，可想而知，其設(shè)計(jì)施工也是相當(dāng)復(fù)雜的。此外，潔凈度越高，建造費(fèi)用也越高。例如100級(jí)單向流潔凈室，僅室內(nèi)裝修與空調(diào)潔凈系統(tǒng)的建造費(fèi)用就要萬元或以上一平方。再加上消防、三廢、供配電和自控系統(tǒng)，建造費(fèi)用就要更高了。

　　當(dāng)完成電子芯片潔凈車間的建造后，還要經(jīng)過3方面的驗(yàn)收，即：空態(tài)驗(yàn)收、靜態(tài)驗(yàn)收、動(dòng)態(tài)驗(yàn)收，只有完成驗(yàn)收才能投入日常使用。因此，面臨巨大的技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)，以及后續(xù)運(yùn)行、維護(hù)和調(diào)試、檢測的壓力。

　　此外，在高的相對(duì)濕度環(huán)境下，由于水分的吸收，使烘烤循環(huán)后光刻膠膨脹加重。光刻膠附著力同樣也可以受到較高的相對(duì)濕度的負(fù)面影響;較低的相對(duì)濕度(約30%)使光刻膠附著更加容易，甚至不需要聚合改性劑。

　　二、半導(dǎo)體檢測實(shí)驗(yàn)室注意問題

　　1、半導(dǎo)體檢測實(shí)驗(yàn)室工作流程設(shè)計(jì)

　　實(shí)驗(yàn)室工作流程優(yōu)化與實(shí)驗(yàn)室整體與局部的布局相關(guān)，同時(shí)與實(shí)驗(yàn)室的硬件與軟件條件也有著密切聯(lián)系。除了布局的優(yōu)化和儀器設(shè)備的擺放位置的設(shè)計(jì)外，可以采用一些先進(jìn)的實(shí)驗(yàn)室管理軟件，協(xié)助實(shí)驗(yàn)室工作人員優(yōu)化實(shí)驗(yàn)過程，從而達(dá)到提高工作效率，減少實(shí)驗(yàn)過程中人為因素對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果的影響。

　　另外，完善的實(shí)驗(yàn)室管理制度，也是影響實(shí)驗(yàn)室工作流程的重要因素。

　　2、半導(dǎo)體檢測實(shí)驗(yàn)室配電系統(tǒng)設(shè)計(jì)

　　實(shí)驗(yàn)室的配電系統(tǒng)是根據(jù)實(shí)驗(yàn)儀器和設(shè)備的具體要求，經(jīng)過專業(yè)的設(shè)計(jì)人員綜合多方面因素設(shè)計(jì)完成的，與普通建筑有很大區(qū)別。因?yàn)?，?shí)驗(yàn)室儀器設(shè)備對(duì)電路的要求比較復(fù)雜，并不是通常人們所認(rèn)為的那樣，只要滿足Z大電壓和Z大功率的要求就可以了。事實(shí)上有很多儀器設(shè)備對(duì)電路都有特殊的要求。

　　我們?cè)诠こ探ㄔO(shè)的過程中發(fā)現(xiàn)，大部分用戶在實(shí)驗(yàn)室設(shè)計(jì)建設(shè)初期，都沒有充分考慮到實(shí)驗(yàn)室用電的特殊要求，甚至有的用戶和設(shè)計(jì)單位認(rèn)為實(shí)驗(yàn)室的用電量與一般的辦公室類似。這樣給后期實(shí)驗(yàn)室的運(yùn)行帶來了很大的麻煩。

　　對(duì)配電系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，不但要考慮現(xiàn)有的儀器設(shè)備情況，同時(shí)也要考慮實(shí)驗(yàn)室?guī)啄甑陌l(fā)展規(guī)劃。充分考慮配電系統(tǒng)的預(yù)留問題及日后的電路維護(hù)等問題。

　　3、半導(dǎo)體檢測實(shí)驗(yàn)室空調(diào)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

　　通用實(shí)驗(yàn)室的夏季空氣調(diào)節(jié)室內(nèi)計(jì)算參數(shù)為：溫度26～28℃，相對(duì)濕度小于65%。專用實(shí)驗(yàn)室的空氣調(diào)節(jié)室內(nèi)計(jì)算參數(shù)應(yīng)按工藝要求確定?？照{(diào)系統(tǒng)的主要作用是控制實(shí)驗(yàn)室的溫濕度?？照{(diào)系統(tǒng)與實(shí)驗(yàn)室通風(fēng)系統(tǒng)配合，才能真正有效地保證實(shí)驗(yàn)室的溫濕度和房間壓力的有效控制?？傊瑢?shí)驗(yàn)室對(duì)空調(diào)系統(tǒng)的要求，有別于普通辦公室或公共區(qū)域的空調(diào)系統(tǒng)，有其特殊性。